
概述
为了演示LMV851/LMV852/LMV854抗电磁干扰的坚固
性并能够测量EMIRR参数,对每个器件分别开发了一个评估
板。本应用注释将介绍这三个评估板并解释如何进行EMIRR
参数的测量。重点是那些对EMI最为敏感的输入脚。基于对
称性的考虑,可以假定两个输入脚具有相同的EMIRR,并根
据简约原则只选择原理图上的IN+脚进行测量。关于其它管脚
的EMI和EMIRR的详细说明可参见AN-1698应用注解。
为了确定运算放大器抗电磁干扰EMI的坚固性,用一个
参数来定量地描述EMI性能,这一定量的测量可赋于运算放
大器的EMI坚固性的比较和评级。参数EMIRR的定义给定如
下∶
30046002
在此 V
RF_PEAK
是施加的未调制的RF信号(V),ΔV
OS
是
输入失调电压漂移(V)。
运算放大器的配置
为了在待测引脚上具有最佳的确定RF电平,在RF信号
路经上不应有运算放大器反馈元件。因此运算放大器接成一
个单位增益的配置,这样的反馈网络产生的RF滤波后的电平
最低。原理图与PCB布局图也包含在本文件中。
RF
信号的应用
需要注意待测引脚上RF信号的应用。信号将采用高达
几千兆赫兹的信号,因此需要将全部RF信号通道与RF发生
器的特征阻抗匹配。这需要选择合适的同轴电缆将发生器连
到测验板。试验中的测试板上需要使用一条50
Ω
带状引线连
到RF信号,并尽可能靠近待测引脚。在这种情况下带状引线
可直接从连接器连到IN+引脚。同样,必需在待测引脚端接
入一个50
Ω
终接器。出于对称的考虑,在带状传输线的每一
边并列放置两个100
Ω
电阻。用一个靠近LMV851/LMV852/
LMV854的50
Ω
电阻器来配置测试环境,以确保待测引脚上的
RF电平。这个50
Ω
电阻器也用来偏置IN+到地电平。直流测
量是测量运算放大器的输出端。因为运算放大器是单位增益
配置,所以输入参考的失调电压漂移与输出电压漂移为一比
一对应。
适合于
LMV851/LMV852/
LMV854
的
EMIRR
评估板
AN-1760
www.national.com
© 2008 National Semiconductor Corporation 300460
美国国家半导体公司
应用注释 1760
Gerrit de Wagt
2008年7月11日
适合于
LMV851/LMV852/LMV854
的
EMIRR
评估板
其他引脚的隔离
当待测引脚被测试时,要将其它引脚对RF信号去耦。这
样保证了试验获得失调电压漂移主要是RF信号耦合到被测引
脚的结果。这种去耦可以使用标准的SMD元件。
布局的考虑
对评估板的布局图应加以重视。至于电源线的去耦,建
议将10 nF的电容器尽可能靠近运算放大器放置,对于单电
源供电可在V+和V-之间放一个电容器;对双电源供电,可
在V+到地之间放一个电熔,在地和V-之间放第二个电容。
在LMV851评估板上,负引脚V-的去耦是在V+与V-之间加
一电容器。这使布线容易,并使连到引脚的线最短。即使
LMV851/LMV852/LMV854原有的坚固的抗EMI能力,仍然
推荐使输入线路最短并尽可能远离RF源。从而使进入芯片
的RF信号尽可能的低,残余的EMI有可能在能减少EMI的
LMV851/LMV852/LMV854芯片内几乎完全消除。
测量步骤
测量步骤对所有测试电路是相同的。为了计算EMIRR需
要测量输入失调电压漂移,可使用以下步骤∶
1. 在RF信号不工作的时候测量V
OUT
。
2. 在RF信号工作时候测量V
OUT
。
3. 将测量的V
OUT
电压折算为输入参考电压。因为在测
试设定时设置增益为一,所以这种情况下这算是1比
1的。
4. 将两个测得过的输入参考电压相减。
5. 验证失调漂移是否超出运算放大器设置的噪音电平,
而且运算放大器不在饱和状态。如果这不是,可选取
另一个RF电平并再次测试。
6. 计算EMIRR。
7. 如果需要,将结果转换到以100 mV
P
的RF信号为基准
的EMIRR。